现代应用物理2017，Vol.8Issue(4)：32-36,5.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2017.040603
1MeV电子辐照对InGaAsP/InGaAs双结电池电学参数的影响
Effects on InGaAsP/InGaAs Double Junction Solar Cell Irradiated by 1 MeV Electrons
玛丽娅·黑尼 1赵晓凡 2李豫东 1莫敏·赛来 2周东 3艾尔肯·阿不都瓦衣提 1郭旗2
作者信息
- 1. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011
- 2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011
- 3. 中国科学院大学,北京100049
- 折叠
摘要
关键词
InGaAsP/InGaAs子电池/转换效率/量子效率/电子辐照/位移损伤分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
玛丽娅·黑尼,赵晓凡,李豫东,莫敏·赛来,周东,艾尔肯·阿不都瓦衣提,郭旗..1MeV电子辐照对InGaAsP/InGaAs双结电池电学参数的影响[J].现代应用物理,2017,8(4):32-36,5.
