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3 MeV质子辐照条件下DC/DC位移损伤机理研究

于新 郭旗 李豫东 何承发 文林 张兴尧 周东

现代应用物理2017,Vol.8Issue(4):37-42,6.
现代应用物理2017,Vol.8Issue(4):37-42,6.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2017.040604

3 MeV质子辐照条件下DC/DC位移损伤机理研究

Displacement Damage Mechanism of DC/DC Originated From 3 MeV Protons

于新 1郭旗 2李豫东 3何承发 4文林 4张兴尧 4周东4

作者信息

  • 1. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011
  • 2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011
  • 3. 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011
  • 折叠

摘要

关键词

DC/DC/位移损伤效应/电离损伤效应/位移缺陷/退火

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

于新,郭旗,李豫东,何承发,文林,张兴尧,周东..3 MeV质子辐照条件下DC/DC位移损伤机理研究[J].现代应用物理,2017,8(4):37-42,6.

现代应用物理

2095-6223

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