现代应用物理2017，Vol.8Issue(4)：43-47,5.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2017.040605
辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真
Effect of Radiation-Induced Trapped Charge on Transferring Characteristics of 0.18 μm N-MOSFET by TCAD Simulation
魏莹 1崔江维 2郑齐文 3马腾 1孙静 2文林 3余学峰 1郭旗2
作者信息
- 1. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011
- 2. 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011
- 3. 新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011
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摘要
关键词
TCAD仿真/深亚微米MOS器件/总剂量辐射效应/辐射陷阱电荷分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
魏莹,崔江维,郑齐文,马腾,孙静,文林,余学峰,郭旗..辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真[J].现代应用物理,2017,8(4):43-47,5.
