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质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响

马腾 崔江维 郑齐文 魏莹 赵京昊 梁晓雯 余学峰 郭旗

现代应用物理2017，Vol.8Issue(4)：48-51,4.
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现代应用物理2017，Vol.8Issue(4)：48-51,4.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2017.040606

质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响

Effects of Time-Dependent Dielectric Breakdown of 130 nm PD-SOI MOS Device Irradiated by Proton

马腾 1崔江维 2郑齐文 3魏莹 4赵京昊 1梁晓雯 2余学峰 3郭旗1

作者信息

  • 1. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011
  • 2. 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011
  • 3. 新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011
  • 4. 中国科学院大学,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

辐射诱导泄漏电流/栅氧经时击穿/可靠性/质子辐照/部分耗尽SOI

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

马腾,崔江维,郑齐文,魏莹,赵京昊,梁晓雯,余学峰,郭旗..质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响[J].现代应用物理,2017,8(4):48-51,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11475255,11505282) （11475255,11505282）

现代应用物理

2095-6223

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