物理学报2018，Vol.67Issue(9)：24-32,9.DOI:10.7498/aps.67.20180074
氢元素对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
Effects of hydrogen impurities on performances and electrical reliabilities of indium-gallium-zinc oxide thin film transistors
摘要
关键词
铟镓锌氧化物/薄膜晶体管/氢元素杂质/电学可靠性引用本文复制引用
邵龑,丁士进..氢元素对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响[J].物理学报,2018,67(9):24-32,9.基金项目
国家自然科学基金(批准号:61474027)资助的课题. （批准号:61474027）
