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典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的 研究与评估

李小龙 姚帅 魏昕宇 陆妩 王信 郭旗 何承发 孙静 于新 刘默寒 贾金成

物理学报2018，Vol.67Issue(9)：218-226,9.
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物理学报2018，Vol.67Issue(9)：218-226,9.DOI:10.7498/aps.67.20180027

典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的 研究与评估

Estimation of low-dose-rate degradation on bipolar linear circuits using different accelerated evaluation methods

李小龙 1姚帅 2魏昕宇 3陆妩 1王信 2郭旗 3何承发 1孙静 2于新 3刘默寒 1贾金成2

作者信息

  • 1. 中国科学院新疆理化技术研究所, 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011
  • 2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011
  • 3. 中国科学院大学, 北京 100049
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摘要

关键词

双极模拟电路/低剂量率辐照损伤增强效应/加速评估方法

引用本文复制引用

李小龙,姚帅,魏昕宇,陆妩,王信,郭旗,何承发,孙静,于新,刘默寒,贾金成..典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的 研究与评估[J].物理学报,2018,67(9):218-226,9.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:U1532261,U1630141)和中国科学院西部之光项目(批准号:2016-QNXZ-B-7)资助的课题. （批准号:U1532261,U1630141）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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