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SiC MOSFET短路特性评估及其温度依赖性模型

邵伟华 冉立 曾正 李晓玲 侯旭 陈昊 李辉

中国电机工程学报2018,Vol.38Issue(7):2121-2131,11.
中国电机工程学报2018,Vol.38Issue(7):2121-2131,11.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.170307

SiC MOSFET短路特性评估及其温度依赖性模型

Short-circuit Evaluation and Temperature-dependent Model of SiC MOSFET

邵伟华 1冉立 1曾正 1李晓玲 1侯旭 1陈昊 1李辉1

作者信息

  • 1. 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学),重庆市沙坪坝区400044
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摘要

关键词

SiC MOSFET/短路特性/温度依赖性/热网络模型

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

邵伟华,冉立,曾正,李晓玲,侯旭,陈昊,李辉..SiC MOSFET短路特性评估及其温度依赖性模型[J].中国电机工程学报,2018,38(7):2121-2131,11.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(51607016) (51607016)

国家重点研发计划资助项目(2017YFB0102303) (2017YFB0102303)

重庆市基础与前沿研究计划项目(cstc2016jcyjA0108). (cstc2016jcyjA0108)

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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