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半导体器件辐射效应数值模拟技术研究现状与发展趋势

陈伟 丁李利 郭晓强

现代应用物理2018,Vol.9Issue(1):1-7,7.
现代应用物理2018,Vol.9Issue(1):1-7,7.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2018.010101

半导体器件辐射效应数值模拟技术研究现状与发展趋势

Current Research and Development Tendencies of Modeling and Simulation of Radiation Effects in Semiconductor Devices

陈伟 1丁李利 2郭晓强3

作者信息

  • 1. 西北核技术研究所,西安710024
  • 2. 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024
  • 折叠

摘要

关键词

辐射效应/粒子输运模拟/器件模拟/电路模拟/发展趋势

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈伟,丁李利,郭晓强..半导体器件辐射效应数值模拟技术研究现状与发展趋势[J].现代应用物理,2018,9(1):1-7,7.

基金项目

国家自然基金资助项目(11690043 ()

11605138 ()

61634008) ()

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

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