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电路级模拟技术在SRAM型FPGA总剂量效应敏感性预测中的应用

郭红霞 丁李利 范如玉 姚志斌 罗尹虹 张凤祁 张科营 赵雯

现代应用物理2018,Vol.9Issue(1):82-87,6.
现代应用物理2018,Vol.9Issue(1):82-87,6.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2018.010601

电路级模拟技术在SRAM型FPGA总剂量效应敏感性预测中的应用

Application of Circuit Simulation to Total Ionizing Dose Effects Prediction of SRAM-Based FPGA

郭红霞 1丁李利 2范如玉 3姚志斌 3罗尹虹 3张凤祁 3张科营 3赵雯3

作者信息

  • 1. 西北核技术研究所,西安710024
  • 2. 强脉冲辐射环境与效应国家重点实验室,西安710024
  • 折叠

摘要

关键词

电子器件/总剂量效应/试验技术/电路模拟/敏感性预测

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

郭红霞,丁李利,范如玉,姚志斌,罗尹虹,张凤祁,张科营,赵雯..电路级模拟技术在SRAM型FPGA总剂量效应敏感性预测中的应用[J].现代应用物理,2018,9(1):82-87,6.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11690043 ()

11605138 ()

61634008) ()

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

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