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N掺杂6H-SiC电子结构的第一性原理计算

林龙 赵瑞奇 祝令豪 徐永豪 张志华 陶华龙 黄敬涛 王朋涛 李先宏 张战营

硅酸盐学报2018，Vol.46Issue(4)：541-549,9.
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硅酸盐学报2018，Vol.46Issue(4)：541-549,9.DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.2018.04.13

N掺杂6H-SiC电子结构的第一性原理计算

First-principle Calculations of Electronic Structures of Nitrogen-doped 6H-SiC

林龙 1赵瑞奇 2祝令豪 3徐永豪 1张志华 4陶华龙 5黄敬涛 5王朋涛 1李先宏 1张战营1

作者信息

  • 1. 河南理工大学,环境友好型无机材料重点实验室培育基地,河南 焦作 454000
  • 2. 河南理工大学数学与信息科学学院,河南 焦作 454000
  • 3. 河南理工大学材料科学与工程学院,河南 焦作 45400
  • 4. 河南理工大学物理与电气信息学院,河南 焦作 454000
  • 5. 大连交通大学材料科学与工程学院,辽宁 大连 116028
  • 折叠

摘要

关键词

稀磁半导体/电子结构/磁性/第一性原理/6H-碳化硅

分类

物理学

引用本文复制引用

林龙,赵瑞奇,祝令豪,徐永豪,张志华,陶华龙,黄敬涛,王朋涛,李先宏,张战营..N掺杂6H-SiC电子结构的第一性原理计算[J].硅酸盐学报,2018,46(4):541-549,9.

基金项目

国家自然科学基金项目(21303041,51372027,51372026, 51372056,51172065) （21303041,51372027,51372026, 51372056,51172065）

河南省自然科学基金(162300410116)资助项目. （162300410116）

硅酸盐学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0454-5648

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