四川大学学报（自然科学版）2018，Vol.55Issue(3)：527-532,6.DOI:10.3969/j.issn.0490-6756.2018.03.018
Mg掺杂硅团簇MgSin(n=1~10)的 结构和电子性质研究
Theoretical study on the geometric structures and electronic properties of Mg doped silicon clusters
摘要
Abstract
The geometric structures and electronic properties of MgSin(n=1~10) are studied by using the Becke's three-parameter exchange functional and Lee-Yang-Parr correlation functional (B3LYP) method of the density functional theory (DFT) at the 6-311+G(d ,p) set basis level .And several lower energy geometric structures of the MgSin (n=1 ~10) are obtained .The results show that the lowest energy structures of the silicon clusters doped with only one magnesium atom can exist stably .关键词
密度泛函理论/Mg掺杂硅团簇/几何结构/电子性质Key words
Density functional theory/Mg doped silicon clusters/Geometric structures/Electronic properties分类
化学化工引用本文复制引用
阮文,刘绥红,宋红莲,金仕显..Mg掺杂硅团簇MgSin(n=1~10)的 结构和电子性质研究[J].四川大学学报（自然科学版）,2018,55(3):527-532,6.基金项目
国家自然科学基金(11364023) （11364023）
江西省教育厅科技研究项目(GJJ160737) （GJJ160737）
井冈山大学博士科研启动基金(JZB11003) （JZB11003）
江西省大学生创新创业训练项目(赣财教指[2014]57号) （赣财教指[2014]57号）
江西省自然科学基金项目(20171BAB201020) （20171BAB201020）
