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拉压不同应力对磁记忆信号的影响及机理

冷建成 田洪旭 郭亚光 徐明秀

工程科学学报2018,Vol.40Issue(5):565-570,6.
工程科学学报2018,Vol.40Issue(5):565-570,6.DOI:10.13374/j.issn2095-9389.2018.05.006;

拉压不同应力对磁记忆信号的影响及机理

Effect of tensile and compressive stresses on magnetic memory signal and its mechanism

冷建成 1田洪旭 1郭亚光 2徐明秀3

作者信息

  • 1. 东北石油大学机械科学与工程学院, 大庆 163318
  • 2. 哈尔滨工业大学航天学院, 哈尔滨 150001
  • 3. 北京科技大学数理学院, 北京100083
  • 折叠

摘要

关键词

磁记忆效应/拉压应力/应力退磁/在线监测

分类

矿业与冶金

引用本文复制引用

冷建成,田洪旭,郭亚光,徐明秀..拉压不同应力对磁记忆信号的影响及机理[J].工程科学学报,2018,40(5):565-570,6.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11472076, 51607035) (11472076, 51607035)

黑龙江省博士后科研启动基金资助项目(LBH-Q16035) (LBH-Q16035)

工程科学学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

2095-9389

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