| 注册
首页|期刊导航|物理学报|晶格失配应力对单晶(BiTm)3(GaFe)5O12膜 磁畴结构的影响

晶格失配应力对单晶(BiTm)3(GaFe)5O12膜 磁畴结构的影响

郝俊祥 杨青慧 张怀武 文岐业 白飞明 钟智勇 贾利军 马博 吴玉娟

物理学报2018,Vol.67Issue(11):234-242,9.
物理学报2018,Vol.67Issue(11):234-242,9.DOI:10.7498/aps.67.20180192

晶格失配应力对单晶(BiTm)3(GaFe)5O12膜 磁畴结构的影响

Effect of lattice mismatch stress on magnetic domain of epitaxial single crystal (BiTm)3(GaFe)5O12 film

郝俊祥 1杨青慧 1张怀武 1文岐业 1白飞明 1钟智勇 1贾利军 1马博 1吴玉娟1

作者信息

  • 1. 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都 610054
  • 折叠

摘要

关键词

晶格失配应力/磁畴/液相外延/单轴各向异性

引用本文复制引用

郝俊祥,杨青慧,张怀武,文岐业,白飞明,钟智勇,贾利军,马博,吴玉娟..晶格失配应力对单晶(BiTm)3(GaFe)5O12膜 磁畴结构的影响[J].物理学报,2018,67(11):234-242,9.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:51472046,51272036,51002021,61131005)资助的课题. (批准号:51472046,51272036,51002021,61131005)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文