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沟槽式FS-IGBT各部分对其性能的影响研究

张满红 邹其峰

现代电子技术2018,Vol.41Issue(14):5-9,5.
现代电子技术2018,Vol.41Issue(14):5-9,5.DOI:10.16652/j.issn.1004-373x.2018.14.002

沟槽式FS-IGBT各部分对其性能的影响研究

Research on influence of trench FS-IGBT′s each part on its performance

张满红 1邹其峰1

作者信息

  • 1. 华北电力大学 现代电子科学研究所,北京 102206
  • 折叠

摘要

关键词

FS-IGBT/SentaurusTCAD/结构仿真/电学特性/性能影响/导通电压

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张满红,邹其峰..沟槽式FS-IGBT各部分对其性能的影响研究[J].现代电子技术,2018,41(14):5-9,5.

基金项目

国家自然科学基金(61176080) (61176080)

现代电子技术

OA北大核心CSTPCD

1004-373X

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