现代应用物理2018，Vol.9Issue(2)：41-47,82,8.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2018.020402
无箔二极管参数对电子束包络的影响
Influence of Foilless Diode Parameters on Electron Beam Envelope
吴平 1张广帅 2孙钧 3叶虎 3宋志敏3
作者信息
- 1. 西北核技术研究所,西安 710024
- 2. 高功率微波技术重点实验室,西安 710024
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摘要
关键词
高功率微波/无箔二极管/相对论电子束/低磁场/电子束包络分类
数理科学引用本文复制引用
吴平,张广帅,孙钧,叶虎,宋志敏..无箔二极管参数对电子束包络的影响[J].现代应用物理,2018,9(2):41-47,82,8.
