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不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析

李豫东 文林 郭旗 何承发 周东 冯婕 张兴尧 于新

现代应用物理2018,Vol.9Issue(2):65-68,4.
现代应用物理2018,Vol.9Issue(2):65-68,4.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2018.020602

不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析

Influence of Proton With Different Fluence Rates on Parameters of CCD

李豫东 1文林 2郭旗 3何承发 1周东 2冯婕 3张兴尧 1于新2

作者信息

  • 1. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐 830011
  • 2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐 830011
  • 3. 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011
  • 折叠

摘要

关键词

质子/电荷耦合器件/辐射效应/注量率/缺陷

分类

信息技术与安全科学

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李豫东,文林,郭旗,何承发,周东,冯婕,张兴尧,于新..不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析[J].现代应用物理,2018,9(2):65-68,4.

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

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