发光学报2018，Vol.39Issue(7)：961-967,7.DOI:10.3788/fgxb20183907.0961
量子阱生长气压对InGaN/GaN黄光LED光电性能的影响
Effect of Growth Pressure of Quantum Wells on Photoelectric Properties of InGaN/GaN Yellow LED
摘要
关键词
MOCVD/InGaN/GaN量子阱/黄光LED/生长气压/光电性能分类
数理科学引用本文复制引用
邱岳,江风益,丁杰,张建立,莫春兰,王小兰,徐龙权,吴小明,王光绪,刘军林..量子阱生长气压对InGaN/GaN黄光LED光电性能的影响[J].发光学报,2018,39(7):961-967,7.基金项目
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江西省重大研发专项(20165ABC28007)资助项目 （20165ABC28007）
