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B、N共掺杂单层石墨烯电子结构和导电性能

任福成徐守冬张鼎陈良刘世斌

太原理工大学学报2018，Vol.49Issue(4)：525-532,8.

太原理工大学学报2018，Vol.49Issue(4)：525-532,8.DOI:10.16355/j.cnki.issn1007-9432tyut.2018.04.002

Electronic Structure and Electroconductivity of B,N-Co-doped Single Layer Graphene

任福成 ¹徐守冬 ¹张鼎 ¹陈良 ¹刘世斌¹

作者信息

密度泛函理论/石墨烯/共掺杂/电子结构/导电性

数理科学

任福成,徐守冬,张鼎,陈良,刘世斌..B、N共掺杂单层石墨烯电子结构和导电性能[J].太原理工大学学报,2018,49(4):525-532,8.

国家自然科学基金资助项目(20676088) （20676088）

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1007-9432

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