| 注册
首页|期刊导航|浙江大学学报(理学版)|Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体的第一性原理研究

Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体的第一性原理研究

张云丽 朱自强 李晓川 刘奎立 巫洪章 周小东

浙江大学学报(理学版)2018,Vol.45Issue(4):429-435,7.
浙江大学学报(理学版)2018,Vol.45Issue(4):429-435,7.DOI:10.3785/j.issn.1008-9497.2018.04.010

Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体的第一性原理研究

The study of Cr doped LiZnAs diluted semiconductor based on the first-principles

张云丽 1朱自强 1李晓川 1刘奎立 1巫洪章 2周小东3

作者信息

  • 1. 周口师范学院物理与电信工程学院,河南周口466001
  • 2. 周口师范学院稀土功能材料及应用实验室,河南周口466001
  • 3. 周口师范学院机械与电气工程学院,河南周口466001
  • 折叠

摘要

关键词

Cr掺杂LiZnAs/第一性原理/磁性特征/电子结构

分类

数理科学

引用本文复制引用

张云丽,朱自强,李晓川,刘奎立,巫洪章,周小东..Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体的第一性原理研究[J].浙江大学学报(理学版),2018,45(4):429-435,7.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11405280) (11405280)

河南省科技攻关计划项目(162102210129) (162102210129)

周口师范学院2016年度科研创新基金资助项目(zknuA201603) . (zknuA201603)

浙江大学学报(理学版)

OA北大核心CSCDCSTPCD

1008-9497

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文