材料科学与工程学报2018，Vol.36Issue(4)：519-522,614,5.DOI:10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2018.04.001
热处理温度及掺硼对富硅氧化硅发光的影响
Influence of Post-annealing Temperature and Boron-doping on Photoluminescence from Silicon Rich Silicon Oxide Films
摘要
关键词
富硅氧化硅薄膜/热处理温度/掺硼/发光中心/硅纳米晶分类
通用工业技术引用本文复制引用
刘国华,高宇晗,曹佳浩,李东升,杨德仁..热处理温度及掺硼对富硅氧化硅发光的影响[J].材料科学与工程学报,2018,36(4):519-522,614,5.基金项目
国家自然基金973资助项目(2013CB632102) （2013CB632102）
