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沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究

崔江维 郑齐文 余德昭 周航 苏丹丹 马腾 魏莹 余学峰 郭旗

电子学报2018，Vol.46Issue(5)：1128-1132,5.
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电子学报2018，Vol.46Issue(5)：1128-1132,5.DOI:10.3969/j.issn.0372-2112.2018.05.016

沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究

Effect of Channel Width on NBTI in 65nm PMOSFET

崔江维 1郑齐文 1余德昭 2周航 1苏丹丹 2马腾 1魏莹 2余学峰 1郭旗2

作者信息

  • 1. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011
  • 2. 中国科学院大学,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

65 nm/负偏压温度不稳定性/沟道宽度

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

崔江维,郑齐文,余德昭,周航,苏丹丹,马腾,魏莹,余学峰,郭旗..沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究[J].电子学报,2018,46(5):1128-1132,5.

基金项目

国家自然科学基金(No.11475255,No.11505282) （No.11475255,No.11505282）

中国科学院西部之光项目(No.2015-XBQN-B-15) （No.2015-XBQN-B-15）

电子学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0372-2112

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