沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究OA北大核心CSCDCSTPCD
Effect of Channel Width on NBTI in 65nm PMOSFET
随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65 nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应引起的参数退化与器件结构的依赖关系,试验结果表明65nm PMOSFET的NBTI损伤随沟道宽度减小而增大.通过缺陷电荷分析和仿真的方法,从NBTI缺陷产生来源和位置的角度,揭示了产生该结果的…查看全部>>
崔江维;郑齐文;余德昭;周航;苏丹丹;马腾;魏莹;余学峰;郭旗
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011中国科学院大学,北京100049中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011中国科学院大学,北京100049中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011中国科学院大学,北京100049中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011中国科学院大学,北京100049
信息技术与安全科学
65 nm负偏压温度不稳定性沟道宽度
《电子学报》 2018 (5)
浅槽隔离氧化物电离辐射陷阱电荷剂量率效应机制
1128-1132,5
国家自然科学基金(No.11475255,No.11505282)中国科学院西部之光项目(No.2015-XBQN-B-15)
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