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GaSb/InSb/InP异质结构的漏电流机制

徐佳新徐德前庄仕伟李国兴张源涛董鑫吴国光张宝林

发光学报2018，Vol.39Issue(8)：1143-1150,8.

发光学报2018，Vol.39Issue(8)：1143-1150,8.DOI:10.3788/fgxb20183908.1143

Leakage Current Mechanism of GaSb/InSb/InP Heterostructure

徐佳新 ¹徐德前 ¹庄仕伟 ¹李国兴 ¹张源涛 ¹董鑫 ¹吴国光 ¹张宝林¹

作者信息

InSb/红外探测器/非制冷/复合机制/漏电流

信息技术与安全科学

徐佳新,徐德前,庄仕伟,李国兴,张源涛,董鑫,吴国光,张宝林..GaSb/InSb/InP异质结构的漏电流机制[J].发光学报,2018,39(8):1143-1150,8.

国家自然科学基金(61574069)资助项目（61574069）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-7032

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