桂林电子科技大学学报2018，Vol.38Issue(3)：183-188,6.
一种具有顶层电流路径的新型SOI LDMOS结构
A novel SOI LDMOS structure with top current path
摘要
关键词
顶层电流路径/电荷岛/等间距/击穿电压/SOI功率器件分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
文艺,李琦,罗乐,陆诗维,张昭阳..一种具有顶层电流路径的新型SOI LDMOS结构[J].桂林电子科技大学学报,2018,38(3):183-188,6.基金项目
国家自然科学基金(61361011,61274077,61464003) （61361011,61274077,61464003）
广西自然科学基金(2013GXNSFAA019335,2015GXNSFAA139300) （2013GXNSFAA019335,2015GXNSFAA139300）
桂林电子科技大学研究生教育创新计划(2017YJCX40) （2017YJCX40）
