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±1100kV特高压阀厅金具表面电场计算及起晕校核

常林晶 徐光辉 徐健涛 宋铁创 张琪 金硕 杜志叶 杜鹏飞

高压电器2018，Vol.54Issue(6)：87-92,100,7.
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高压电器2018，Vol.54Issue(6)：87-92,100,7.DOI:10.13296/j.1001-1609.hva.2018.06.013

±1100kV特高压阀厅金具表面电场计算及起晕校核

Numerical Solution of Surface Field and Checking of the Onset Field on the Fittings Inside in ±1100 kV UHVDC Valve Hall

常林晶 1徐光辉 1徐健涛 1宋铁创 1张琪 2金硕 2杜志叶 2杜鹏飞3

作者信息

  • 1. 平高集团有限公司,河南平顶山467000
  • 2. 武汉大学电气工程学院,武汉430072
  • 3. 三峡大学电气与新能源学院,湖北宜昌443002
  • 折叠

摘要

关键词

特高压/阀厅/电场计算/起晕校核/金具优化

引用本文复制引用

常林晶,徐光辉,徐健涛,宋铁创,张琪,金硕,杜志叶,杜鹏飞..±1100kV特高压阀厅金具表面电场计算及起晕校核[J].高压电器,2018,54(6):87-92,100,7.

基金项目

国家电网公司科技项目资助项目(SGNXJX00YJJS1400105). （SGNXJX00YJJS1400105）

高压电器

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-1609

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