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毫米波频段下纳米MOSFET的导纳参数建模及应用

王军 王东振

工程科学与技术2018,Vol.50Issue(4):186-192,7.
工程科学与技术2018,Vol.50Issue(4):186-192,7.DOI:10.15961/j.jsuese.201700293

毫米波频段下纳米MOSFET的导纳参数建模及应用

Modeling and Application of Admittance Parameters of Nanometer MOSFET Under Millimeter Wave Band

王军 1王东振1

作者信息

  • 1. 西南科技大学信息工程学院,四川绵阳 621010
  • 折叠

摘要

关键词

纳米MOSFET/导纳参数/小信号等效电路/毫米波

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王军,王东振..毫米波频段下纳米MOSFET的导纳参数建模及应用[J].工程科学与技术,2018,50(4):186-192,7.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(699010003) (699010003)

四川省教育厅科研项目资助(18ZA0502) (18ZA0502)

工程科学与技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

2096-3246

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