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基于GaN同质衬底的高迁移率AlGaN/GaNHEMT材料

张志荣刘沛冯志红房玉龙尹甲运郭艳敏王波王元刚李佳芦伟立高楠

物理学报2018，Vol.67Issue(7)：211-218,8.

物理学报2018，Vol.67Issue(7)：211-218,8.DOI:10.7498/aps.67.20172581

Highmobility AlGaN/GaN high electronic mobility transistors on GaN homo-substrates

张志荣 ¹刘沛 ²冯志红 ¹房玉龙 ¹尹甲运 ¹郭艳敏 ¹王波 ¹王元刚 ¹李佳 ¹芦伟立 ¹高楠¹

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金属有机物化学气相沉积/氮化镓/热处理/同质外延

张志荣,刘沛,冯志红,房玉龙,尹甲运,郭艳敏,王波,王元刚,李佳,芦伟立,高楠..基于GaN同质衬底的高迁移率AlGaN/GaNHEMT材料[J].物理学报,2018,67(7):211-218,8.

国家重点研究发展计划(批准号:2017YFB0404100)资助的课题. （批准号:2017YFB0404100）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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