物理学报2018，Vol.67Issue(15)：111-120,10.DOI:10.7498/aps.67.20180425
基于Au/TiO2/FTO结构忆阻器的开关特性 与机理研究
Resistive switching characteristics and resistive switching mechanism of Au/TiO2/FTO memristor
摘要
关键词
TiO2纳米线/忆阻器/氧空位/导电细丝引用本文复制引用
余志强,刘敏丽,郎建勋,钱楷,张昌华..基于Au/TiO2/FTO结构忆阻器的开关特性 与机理研究[J].物理学报,2018,67(15):111-120,10.基金项目
国家自然科学基金(批准号: 61463014)、湖北省教育厅科学技术研究项目(批准号: B2018087)和湖北民族学院博士启动基金(批准号: MY2018B016)资助的课题. （批准号: 61463014）
