原子能科学技术2018，Vol.52Issue(7)：1214-1221,8.DOI:10.7538/yzk.2017.youxian.0693
Si原子在CeO2(111)表面吸附与迁移的第一性原理研究
First Principle Calculation on Adsorption and Diffusion Behavior of Si Atom on CeO2 (111 ) Surface
摘要
关键词
Si/CeO2/吸附/电子结构/迁移分类
数理科学引用本文复制引用
贾慧灵,任保根,刘学杰,贾延琨,李梅,吴锦绣..Si原子在CeO2(111)表面吸附与迁移的第一性原理研究[J].原子能科学技术,2018,52(7):1214-1221,8.基金项目
国家自然科学基金资助项目(61765012,51562031) （61765012,51562031）
国家杰出青年基金资助项目(51025416) （51025416）
教育部创新团队项目资助(IRT1065) （IRT1065）
