原子能科学技术2018，Vol.52Issue(7)：1326-1334,9.DOI:10.7538/yzk.2017.youxian.0577
65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究
Micro-beam and Broad-beam Experimental Research of Multiple-cell Upset in 65 nm Dual-well CMOS SRAM
李丽丽 1汪栋 1刘夏杰 1吕永红 1李坤锋 1蔡莉 2史淑廷 2惠宁 2郭刚2
作者信息
- 1. 中广核研究院有限公司,广东深圳 518026
- 2. 中国原子能科学研究院核物理研究所,北京 102413
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摘要
关键词
多位翻转/静态随机存储器/双阱/电荷共享/重离子/微束实验分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李丽丽,汪栋,刘夏杰,吕永红,李坤锋,蔡莉,史淑廷,惠宁,郭刚..65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究[J].原子能科学技术,2018,52(7):1326-1334,9.
