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电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池少子寿命的变化

吴锐 王君玲 凌云龙 王荣

原子能科学技术2018，Vol.52Issue(8)：1507-1511,5.
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原子能科学技术2018，Vol.52Issue(8)：1507-1511,5.DOI:10.7538/yzk.2017.youxian.0691

电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池少子寿命的变化

Electron-irradiated Induced Change of Minority Carrier Lifetime of GaInP/GaAs/Ge Triple-junction Solar Cell

吴锐 1王君玲 2凌云龙 1王荣2

作者信息

  • 1. 北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室,北京100875
  • 2. 北京师范大学核科学与技术学院,北京 100875
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摘要

关键词

电子辐照/GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池/光致发光/少子寿命

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吴锐,王君玲,凌云龙,王荣..电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池少子寿命的变化[J].原子能科学技术,2018,52(8):1507-1511,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(10675023,11075018,11375028,11675020) （10675023,11075018,11375028,11675020）

原子能科学技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6931

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