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MOCVD生长AlGaInAs/InP多量子阱激光器

朱天雄 贾华宇 李灯熬 罗飚 刘应军

光通信研究Issue(4):31-34,60,5.
光通信研究Issue(4):31-34,60,5.DOI:10.13756/j.gtxyj.2018.04.008

MOCVD生长AlGaInAs/InP多量子阱激光器

MOCVD Growth AlGaInAs/InP Multiple Quantum Well Laser

朱天雄 1贾华宇 2李灯熬 2罗飚 3刘应军3

作者信息

  • 1. 太原理工大学 物理与光电工程学院,山西 晋中 030600
  • 2. 太原理工大学信息工程学院,山西 晋中 030600
  • 3. 武汉电信器件有限公司,武汉 430074
  • 折叠

摘要

关键词

激光器/量子阱/金属有机物化学气相沉淀/应变补偿/AlGaInAs/InP/共面电极

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

朱天雄,贾华宇,李灯熬,罗飚,刘应军..MOCVD生长AlGaInAs/InP多量子阱激光器[J].光通信研究,2018,(4):31-34,60,5.

基金项目

国家"八六三"计划资助项目(2015AA016901) (2015AA016901)

山西省自然科学基金资助项目(2015011050) (2015011050)

光通信研究

OA北大核心

1005-8788

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