电子科技2018，Vol.31Issue(7)：46-50,5.DOI:10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2018.07.013
单轴应变Si纳米NMOSFET电特性优化
Electrical Properties Optimization of the Uniaxial Strained Si Nano-Scale NMOSFET
摘要
关键词
应变Si NMOSFET/氮化硅薄膜(SiN)/沟道应力/参数优化分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
廖晨光,郝敏如..单轴应变Si纳米NMOSFET电特性优化[J].电子科技,2018,31(7):46-50,5.基金项目
陕西省科技计划项目(2016GY-085) （2016GY-085）
