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MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响

韩军 张宝顺 赵佳豪 邢艳辉 史峰峰 杨涛涛 赵杰 王凯 李焘 邓旭光

发光学报2018，Vol.39Issue(9)：1285-1290,6.
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发光学报2018，Vol.39Issue(9)：1285-1290,6.DOI:10.3788/fgxb20183909.1285

MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响

Effect of Low Growth Pressure of HT-AlN Buffer on GaN Epilayer Grown on Si(111)

韩军 1张宝顺 2赵佳豪 1邢艳辉 1史峰峰 1杨涛涛 1赵杰 1王凯 1李焘 1邓旭光2

作者信息

  • 1. 北京工业大学微电子学院 光电技术教育部重点实验室, 北京 100124
  • 2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215123
  • 折叠

摘要

关键词

高温AlN缓冲层/氮化镓/金属有机化学气相沉积/X射线衍射/拉曼光谱

分类

数理科学

引用本文复制引用

韩军,张宝顺,赵佳豪,邢艳辉,史峰峰,杨涛涛,赵杰,王凯,李焘,邓旭光..MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响[J].发光学报,2018,39(9):1285-1290,6.

基金项目

国家自然科学基金(61204011,11204009,61574011) （61204011,11204009,61574011）

北京市自然科学基金(4142005) （4142005）

北京市教委科研基金(PXM2017014204500034)资助项目 （PXM2017014204500034）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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