发光学报2018，Vol.39Issue(9)：1297-1304,8.DOI:10.3788/fgxb20183909.1297
刻蚀深度对GaN基微尺寸LED芯片RC特性的影响
Influence of Isolation Etching Depth on RC Characteristic of GaN-based Micro-LED Chip
摘要
关键词
深刻蚀隔离槽/微尺寸LED芯片/电容/RC常数分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨倬波,黄华茂,施伟,王洪..刻蚀深度对GaN基微尺寸LED芯片RC特性的影响[J].发光学报,2018,39(9):1297-1304,8.基金项目
广东省应用型科技研发专项资金(2015B010127013,2016B010123004) （2015B010127013,2016B010123004）
广东省科技计划(2014B010119002,2017B010112003, 2016A010103011,2017A050501006) （2014B010119002,2017B010112003, 2016A010103011,2017A050501006）
广州市科技计划(201504291502518,201604046021,201610010038) （201504291502518,201604046021,201610010038）
中央高校基本科研业务费专项资金(2017PY019,2015ZM131)资助项目 （2017PY019,2015ZM131）
