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砷化镓中广延缺陷的光致发光研究

吕恒 胡昌奎

人工晶体学报2018，Vol.47Issue(8)：1529-1534,6.
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人工晶体学报2018，Vol.47Issue(8)：1529-1534,6.

砷化镓中广延缺陷的光致发光研究

Photoluminescence of Extended Defect in GaAs

吕恒 1胡昌奎1

作者信息

  • 1. 武汉理工大学理学院,武汉 430070
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摘要

关键词

砷化镓/广延缺陷/光致发光

分类

数理科学

引用本文复制引用

吕恒,胡昌奎..砷化镓中广延缺陷的光致发光研究[J].人工晶体学报,2018,47(8):1529-1534,6.

基金项目

国家自然科学基金(51702245) （51702245）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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