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物理气相传输法生长碳化硅单晶原生表面形貌研究

崔潆心 胡小波 徐现刚

无机材料学报2018，Vol.33Issue(8)：877-882,6.
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无机材料学报2018，Vol.33Issue(8)：877-882,6.DOI:10.15541/jim20170507

物理气相传输法生长碳化硅单晶原生表面形貌研究

As-grown Surface Morphologies of SiC Single Crystals Grown by PVT Method

崔潆心 1胡小波 2徐现刚3

作者信息

  • 1. 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,成都 610200
  • 2. 中国工程物理研究院电子工程研究所,绵阳 621999
  • 3. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南 250100
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摘要

关键词

碳化硅/原生小面/微管结构

分类

数理科学

引用本文复制引用

崔潆心,胡小波,徐现刚..物理气相传输法生长碳化硅单晶原生表面形貌研究[J].无机材料学报,2018,33(8):877-882,6.

基金项目

科学挑战专题(TZ2018003) Science Challenge Project (TZ2018003) （TZ2018003）

无机材料学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-324X

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