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质子辐照对Yb掺杂ZnO稀磁半导体薄膜缺陷与磁性的影响

陈卫宾 刘学超 卓世异 柴骏 施尔畏

无机材料学报2018,Vol.33Issue(8):903-908,6.
无机材料学报2018,Vol.33Issue(8):903-908,6.DOI:10.15541/jim20170420

质子辐照对Yb掺杂ZnO稀磁半导体薄膜缺陷与磁性的影响

Influence of Proton Irradiation on Defect and Magnetism of Yb-doped ZnO Dluted Magnetic Semiconductor Thin Films

陈卫宾 1刘学超 2卓世异 1柴骏 1施尔畏1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050
  • 2. 中国科学院大学,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

Yb掺杂ZnO,/质子辐照,/稀磁半导体,/铁磁性

分类

数理科学

引用本文复制引用

陈卫宾,刘学超,卓世异,柴骏,施尔畏..质子辐照对Yb掺杂ZnO稀磁半导体薄膜缺陷与磁性的影响[J].无机材料学报,2018,33(8):903-908,6.

基金项目

国家自然科学基金青年基金(51602331) (51602331)

国家重点研发计划项目(2016YFB0400401, 2017YFB0405700) (2016YFB0400401, 2017YFB0405700)

无机材料学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-324X

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