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GaP,GaAs和PPLN晶体级联差频产生太赫兹辐射

黄俊滔 饶志明 谢芳森

太赫兹科学与电子信息学报2018,Vol.16Issue(4):576-583,594,9.
太赫兹科学与电子信息学报2018,Vol.16Issue(4):576-583,594,9.DOI:10.11805/TKYDA201804.0576

GaP,GaAs和PPLN晶体级联差频产生太赫兹辐射

Cascaded difference-frequency generation for THz in GaP,GaAs and PPLN crystals

黄俊滔 1饶志明 1谢芳森1

作者信息

  • 1. 江西师范大学物理与通信电子学院,江西南昌 330022
  • 折叠

摘要

关键词

太赫兹/级联过程/差频产生/周期性极化晶体/准相位匹配

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

黄俊滔,饶志明,谢芳森..GaP,GaAs和PPLN晶体级联差频产生太赫兹辐射[J].太赫兹科学与电子信息学报,2018,16(4):576-583,594,9.

基金项目

江西省自然科学基金资助项目(20161BAB202052) (20161BAB202052)

博士启动基金资助项目(6398) (6398)

教育厅科技资助项目(GJJ160305) (GJJ160305)

太赫兹科学与电子信息学报

OA北大核心CSTPCD

2095-4980

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