铸造技术2018，Vol.39Issue(7)：1436-1438,1446,4.DOI:10.16410/j.issn1000-8365.2018.07.012
B位掺杂Sn对BNT-BLZT陶瓷电学行为的影响
Effect of B Bit Doping SN on the Electrical Behavior of BNT-BLZT Ceramics
摘要
关键词
无铅反铁电材料/能量储存性能/P-E电滞回线分类
矿业与冶金引用本文复制引用
曹静,王永锋..B位掺杂Sn对BNT-BLZT陶瓷电学行为的影响[J].铸造技术,2018,39(7):1436-1438,1446,4.基金项目
陕西省西安市科技局项目(2017076CGRC039(XAHK004)) （2017076CGRC039(XAHK004）
