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压接型IGBT器件单芯片子模组疲劳失效的仿真

张经纬 邓二平 赵志斌 李金元 黄永章

电工技术学报2018，Vol.33Issue(18)：4277-4285,9.
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电工技术学报2018，Vol.33Issue(18)：4277-4285,9.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.170875

压接型IGBT器件单芯片子模组疲劳失效的仿真

Simulation on Fatigue Failure of Single IGBT Chip Module of Press-Pack IGBTs

张经纬 1邓二平 1赵志斌 2李金元 1黄永章2

作者信息

  • 1. 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学) 北京 102206
  • 2. 国家电网全球能源互联网研究院 北京 102209
  • 折叠

摘要

关键词

压接型IGBT器件/单芯片子模组/功率循环/疲劳寿命预测/芯片失效

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张经纬,邓二平,赵志斌,李金元,黄永章..压接型IGBT器件单芯片子模组疲劳失效的仿真[J].电工技术学报,2018,33(18):4277-4285,9.

基金项目

国家重点研发计划(2016YFB0901800)和国家电网公司科技项目(SGRI-GB-71-16-002、5455GB160006)资助. （2016YFB0901800）

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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