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金属-半导体-金属结构非极性a-AlGaN深紫外探测器的制备

贾辉 徐建飞 石璐珊 梁征 张滢

硅酸盐学报2018，Vol.46Issue(9)：1304-1308,5.
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硅酸盐学报2018，Vol.46Issue(9)：1304-1308,5.DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.2018.09.18

金属-半导体-金属结构非极性a-AlGaN深紫外探测器的制备

Fabrication of Metal-Semiconductor-Metal Deep Ultraviolet Photodetetor on Nonpolara-AlGaN

贾辉 1徐建飞 1石璐珊 2梁征 1张滢3

作者信息

  • 1. 公安海警学院基础部,浙江宁波 315801
  • 2. 宁波科技信息研究院研究中心,浙江宁波 315040
  • 3. 海纳国际集团,费城 PA19004,美国
  • 折叠

摘要

关键词

深紫外探测器/二氧化硅纳米颗粒/非极性a面铝镓氮/金属-半导体-金属结构

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

贾辉,徐建飞,石璐珊,梁征,张滢..金属-半导体-金属结构非极性a-AlGaN深紫外探测器的制备[J].硅酸盐学报,2018,46(9):1304-1308,5.

基金项目

浙江省教育厅科研项目(Y201737504)资助. （Y201737504）

硅酸盐学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0454-5648

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