3英寸锗基HgCdTe表面ZnS钝化膜的应力研究OA北大核心CSCDCSTPCD
Study of Stress in ZnS Passivation Films Prepared on 3 Inch Ge-based HgCdTe
针对大面积碲镉汞表面钝化膜的应力问题,基于磁控溅射技术在3 in Ge基碲镉汞表面采用不同工艺条件沉积了ZnS钝化膜,并对其进行了退火处理.利用台阶仪和原子力显微镜(AFM)对ZnS钝化膜的应力及表面形貌进行了表征分析,结果表明:在磁控溅射方法中适当提高沉积温度和降低溅射功率,有效降低了ZnS钝化膜应力,平均应力由原来的924 MPa减小到749 MPa,且提高了应力分布均匀性;此外,退火处理有效降低了钝化膜的应力,并改善了ZnS薄膜的晶粒大小一…查看全部>>
林占文;韩福忠;耿松;李雄军;史琪;王向前
昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223
信息技术与安全科学
表面钝化ZnS钝化膜钝化膜应力退火AFM锗衬底碲镉汞
《红外技术》 2018 (4)
322-326,5
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