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磁控溅射法制备极紫外6.8~11.0nm波段Mo/B4C横向梯度多层膜

朱京涛 李淼 朱圣明 张嘉怡 冀斌 崔明启

强激光与粒子束2018,Vol.30Issue(6):16-20,5.
强激光与粒子束2018,Vol.30Issue(6):16-20,5.DOI:10.11884/HPLPB201830.170492

磁控溅射法制备极紫外6.8~11.0nm波段Mo/B4C横向梯度多层膜

Laterally graded periodic Mo/B4C multilayer for extreme ultraviolet wavelength of 6 .8-1 1 .0 nm

朱京涛 1李淼 1朱圣明 1张嘉怡 1冀斌 1崔明启2

作者信息

  • 1. 同济大学 物理科学与工程学院,先进微结构材料教育部重点实验室,上海 200092
  • 2. 中国科学院 高能物理研究所,北京 100049
  • 折叠

摘要

关键词

极紫外/横向梯度多层膜/Mo/B4C/磁控溅射/同步辐射

分类

数理科学

引用本文复制引用

朱京涛,李淼,朱圣明,张嘉怡,冀斌,崔明启..磁控溅射法制备极紫外6.8~11.0nm波段Mo/B4C横向梯度多层膜[J].强激光与粒子束,2018,30(6):16-20,5.

强激光与粒子束

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-4322

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