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铟锡氧化物薄膜表面等离子体损耗降低的研究

蔡昕旸 王新伟 张玉苹 王登魁 方铉 房丹 王晓华 魏志鹏

物理学报2018，Vol.67Issue(18)：1-7,7.
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物理学报2018，Vol.67Issue(18)：1-7,7.DOI:10.7498/aps.67.20180794

铟锡氧化物薄膜表面等离子体损耗降低的研究

Reduction of surface plasma loss of indiumtin oxide thin films by regulating substrate temp erature

蔡昕旸 1王新伟 1张玉苹 2王登魁 1方铉 1房丹 1王晓华 1魏志鹏1

作者信息

  • 1. 长春理工大学材料科学与工程学院, 高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130022
  • 2. 吉林大学理论化学研究所, 超分子结构与材料国家重点实验室, 长春 130012
  • 折叠

摘要

关键词

表面等离子体/铟锡氧化物/光学损耗/电学损耗

引用本文复制引用

蔡昕旸,王新伟,张玉苹,王登魁,方铉,房丹,王晓华,魏志鹏..铟锡氧化物薄膜表面等离子体损耗降低的研究[J].物理学报,2018,67(18):1-7,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:61404009,61504012)、吉林省科技发展计划(批准号:20170520118JH)和长春理工大学创新基金(批准号:XJJLG-2016-11)资助的课题. （批准号:61404009,61504012）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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