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质子在碳化硅中不同深度的非电离能量损失

申帅帅 贺朝会 李永宏

物理学报2018,Vol.67Issue(18):25-33,9.
物理学报2018,Vol.67Issue(18):25-33,9.DOI:10.7498/aps.67.20181095

质子在碳化硅中不同深度的非电离能量损失

Non-ionization energy loss of proton in different regions in SiC

申帅帅 1贺朝会 1李永宏1

作者信息

  • 1. 西安交通大学核科学与技术学院, 西安 710049
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摘要

关键词

碳化硅/Geant4/非电离能损/位移损伤

引用本文复制引用

申帅帅,贺朝会,李永宏..质子在碳化硅中不同深度的非电离能量损失[J].物理学报,2018,67(18):25-33,9.

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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