物理学报2018，Vol.67Issue(18)：281-288,8.DOI:10.7498/aps.67.20180769
InAs/GaSb量子阱中太赫兹光电导特性
Terahertz photo conductivity in InAs/GaSb based quantum well system
摘要
关键词
InAs/GaSb量子阱/太赫兹/光电导/平衡方程方法引用本文复制引用
魏相飞,何锐,张刚,刘向远..InAs/GaSb量子阱中太赫兹光电导特性[J].物理学报,2018,67(18):281-288,8.基金项目
安徽省自然科学基金(批准号:1408085QA13)、安徽省教育厅重点项目(批准号:KJ2017A406,KJ2017A401,KJ2016A749)和皖西学院产学研项目资助的课题. （批准号:1408085QA13）
