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8—9.5 keV正电子致Ti的K壳层电离截面的实验研究

钱宇瑞 吴英 杨夏童 陈秋香 尤俊栋 王宝义 况鹏 张鹏

物理学报2018,Vol.67Issue(19):93-100,8.
物理学报2018,Vol.67Issue(19):93-100,8.DOI:10.7498/aps.67.20180666

8—9.5 keV正电子致Ti的K壳层电离截面的实验研究

Experimental study on Ti K shell ionization cross sections induced by 8-9.5 keV p ositrons

钱宇瑞 1吴英 1杨夏童 1陈秋香 1尤俊栋 1王宝义 2况鹏 2张鹏2

作者信息

  • 1. (华北电力大学, 非能动核能安全技术北京市重点实验室, 北京 102206
  • 2. (中国科学院高能物理研究所, 北京 100049
  • 折叠

摘要

关键词

正电子碰撞厚Ti靶/K壳层电离/蒙特卡罗模拟/扭曲波玻恩近似理论模型

引用本文复制引用

钱宇瑞,吴英,杨夏童,陈秋香,尤俊栋,王宝义,况鹏,张鹏..8—9.5 keV正电子致Ti的K壳层电离截面的实验研究[J].物理学报,2018,67(19):93-100,8.

基金项目

国家自然科学基金(批准号: 11275071)、华北电力大学大学生创新创业训练计划项目(批准号: 2016-153)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号: 2018ZD10)资助的课题. (批准号: 11275071)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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