信息技术与网络安全2018，Vol.37Issue(9)：4-8,12,6.DOI:10.19358/j.issn.2096-5133.2018.09.002
RTD-gated HEMT研究进展
A survey of RTD-gated HEMT
朱长举1
作者信息
- 1. 天津飞腾信息技术有限公司,天津510006
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摘要
关键词
高电子迁移率晶体管/太赫兹/谐振隧穿二极管/等离子体分类
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朱长举..RTD-gated HEMT研究进展[J].信息技术与网络安全,2018,37(9):4-8,12,6.
