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ZnO纳米线的快速生长机理及其场发射性能研究

郑中华 林建平 杨智

液晶与显示2018，Vol.33Issue(9)：758-763,6.
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液晶与显示2018，Vol.33Issue(9)：758-763,6.DOI:10.3788/YJYXS20183309.0758

ZnO纳米线的快速生长机理及其场发射性能研究

Rapid growth mechanism and field emission properties of ZnO nanowires

郑中华 1林建平 2杨智3

作者信息

  • 1. 福建师范大学 协和学院 ,福建 福州 350108
  • 2. 厦门理工学院 福建省功能材料及应用重点实验室 ,福建 厦门 361024
  • 3. 西安交通大学 电子陶瓷与器件教育部重点实验室 ,陕西 西安 710049
  • 折叠

摘要

关键词

ZnO/纳米线/生长机理/场发射

分类

数理科学

引用本文复制引用

郑中华,林建平,杨智..ZnO纳米线的快速生长机理及其场发射性能研究[J].液晶与显示,2018,33(9):758-763,6.

基金项目

福建省功能材料及应用重点实验室开放基金(No.fma2017206) （No.fma2017206）

液晶与显示

OA北大核心CSCDCSTPCD

1007-2780

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