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应变Si NMOSFET总剂量效应

廖晨光郝敏如

电子科技2018，Vol.31Issue(9)：1-3,17,4.

电子科技2018，Vol.31Issue(9)：1-3,17,4.DOI:10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2018.09.001

Total Dose Radiation Effect in Uniaxial Strained Si NMOSFET

廖晨光 ¹郝敏如¹

作者信息

总剂量/阈值电压/隧穿/热载流子/栅电流

信息技术与安全科学

廖晨光,郝敏如..应变Si NMOSFET总剂量效应[J].电子科技,2018,31(9):1-3,17,4.

陕西省科技计划项目(2016GY-085) （2016GY-085）

ISSN：1007-7820

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